▲ 10나노급 미세공정을 적용한 DRAM을 활용한 제품  © 특허뉴스

SK하이닉스 진교원 사장이 제55회 발명의 날 기념식에서 최고 표창인 ‘금탑산업훈장’을 수상했다.

진교원 사장은 SK하이닉스의 전신인 LG반도체 엔지니어로 시작해 35년 이상 메모리 반도체 개발 업무를 맡았다. 특히, D램(DRAM)과 낸드(NAND) 반도체 모두 개발한 경험이 있어 정통 엔지니어 출신 최고 기술 전문가라는 평가를 받고 있다.

그는 2014년 SK하이닉스 NAND총괄본부장을 시작으로 NAND개발부문장, 품질보증본부장, DRAM개발사업담당 등 주요 보직을 맡았다. 현재는 SK하이닉스의 개발과 생산을 지휘하는 제조개발총괄 사장을 맡고 있다.

2019년 8월과 10월에는 각각 'HBM2E' D램과 16Gb(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. HBM2E D램은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 차세대 제품이다. 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 향상했다. 16Gb DDR4 D램은 3세대 10나노급 미세공정을 적용해 만들었다. 덕분에 1대당 가격이 2,000억 원 이상인 EUV(극자외선) 장비가 없이도 제품을 생산할 수 있어 원가경쟁력을 확보했다.

진교원 사장은 2015년부터 직무발명 보상을 강화했다. 연구개발 의욕을 고취하기 위해 특허개발에 관한 보상금을 지급하고 있다. '사내 발명의 날', 'Patent Newsletters 배포' 등 특허개발을 생활화하는 분위기도 조성 중이다.

SK하이닉스는 대학교와 산학협력 연구 및 과학기술 인재 육성을 지원하고 있다. 최근 5년간 진행된 산학과제는 154건이다. 2013년부터 2019년까지 7회에 걸쳐 '산학과제 포상' 시상식도 진행했다.

또한 2017년부터 '반도체 혁신아이디어 공모전'을 개최하고 있다. 공모전을 통해 반도체 기술 난제 극복 및 외부 인력을 통한 혁신아이디어 발굴과 우수인재 육성이 목표다. 공모전은 2019년까지 3회째 진행됐다. 2019년 우수 아이디어 제안자 17명에게는 총상금 2억 6500만 원을 수여했다. 수상자에 한해 입사지원 시 서류 전형 면제 특전을 제공한다. 우수 아이디어는 회사와 공동연구를 지속해서 진행 중이다.